SanDisk і Toshiba представили 48- шарову флеш- пам’ять 3D NAND ( BiCS )


 
Компанії SanDisk і Toshiba повідомили про розробку мікросхеми флеш-пам’яті типу NAND з об’ємною компонуванням ( 3D NAND ) другого покоління, яка складається з 48 шарів. Кожна комірка пам’яті BiCS зберігає два біти інформації , а всього в мікросхемі можна зберігати 128 Гбіт ( 16 ГБ) . Основною областю застосування цих мікросхем названі твердотільні накопичувачі .
 
Пілотне виробництво повинне початися на фабриці спільного підприємства в Йоккаїті у другому півріччі, а серійний випуск – в 2016 році. До того часу в в Йоккаїті будуть готова нова фабрика на місці Fab2 , яка будується саме в розрахунку на випуск флеш-пам’яті 3D NAND .
Джерела : SanDisk , Toshiba
SanDisk

Оставить комментарий

Ваш email не будет опубликован. Обязательные поля отмечены *

Вы можете использовать это HTMLтеги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <strike> <strong>